IRF4104PBF Infineon Technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm.
Інші пропозиції IRF4104PBF за ціною від 56.35 грн до 158.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 284000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF4104PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF4104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |