IRF4104SPBF Infineon Technologies
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF4104SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm.
Інші пропозиції IRF4104SPBF за ціною від 49.48 грн до 108.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4104SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4104SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF4104SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
товар відсутній |