Продукція > VISHAY > IRF510SPBF
IRF510SPBF

IRF510SPBF Vishay


sihf510s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF510SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRF510SPBF за ціною від 25.19 грн до 102.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+55.29 грн
248+ 46.97 грн
500+ 44.42 грн
1000+ 38.56 грн
Мінімальне замовлення: 211
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+56.89 грн
234+ 49.77 грн
Мінімальне замовлення: 205
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.38 грн
10+ 34.8 грн
12+ 30.24 грн
31+ 26.64 грн
83+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.88 грн
11+ 52.83 грн
100+ 46.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.03 грн
12+ 51.58 грн
100+ 43.83 грн
500+ 39.96 грн
1000+ 33.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+65.01 грн
250+ 59.41 грн
500+ 55.28 грн
750+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 471 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.85 грн
6+ 43.37 грн
10+ 36.29 грн
31+ 31.97 грн
83+ 30.22 грн
1000+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.55 грн
10+ 68.52 грн
100+ 49.09 грн
500+ 44.57 грн
1000+ 37.53 грн
2000+ 35.21 грн
5000+ 34.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 27725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.29 грн
50+ 74.55 грн
100+ 59.08 грн
500+ 47 грн
1000+ 38.29 грн
2000+ 36.04 грн
5000+ 33.76 грн
10000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.83 грн
11+ 70.05 грн
100+ 54.62 грн
500+ 45.88 грн
1000+ 33.92 грн
5000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF510SPBF IRF510SPBF Виробник : Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній