на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.07 грн |
| 11+ | 52.83 грн |
| 25+ | 41.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF510STRRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF510STRRPBF за ціною від 33.01 грн до 96.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRF510STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRF510STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRF510STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |