Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5305STRLPBF
IRF5305STRLPBF

IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

irf5305spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції IRF5305STRLPBF за ціною від 28.22 грн до 121.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+40.72 грн
1600+ 40.08 грн
3200+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+43.75 грн
1600+ 43.06 грн
3200+ 30.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.22 грн
1600+ 47.54 грн
3200+ 45.05 грн
6400+ 41.64 грн
9600+ 37.63 грн
16000+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 93600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+51.92 грн
1600+ 51.2 грн
3200+ 48.52 грн
6400+ 44.84 грн
9600+ 40.52 грн
16000+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+56.62 грн
1600+ 46.26 грн
2400+ 43.95 грн
5600+ 39.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.45 грн
250+ 60.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.14 грн
15+ 55.49 грн
40+ 52.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+79.07 грн
159+ 73.53 грн
189+ 61.86 грн
200+ 56.46 грн
500+ 52.11 грн
1000+ 45.19 грн
1600+ 44.11 грн
3200+ 42.35 грн
6400+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+85.64 грн
10+ 84.78 грн
25+ 70.78 грн
100+ 62.66 грн
250+ 50.8 грн
500+ 45.25 грн
1000+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+91.3 грн
154+ 76.22 грн
167+ 69.98 грн
250+ 59.09 грн
500+ 50.77 грн
1000+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 128
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.85 грн
10+ 80.95 грн
100+ 64.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.09 грн
5+ 89.9 грн
15+ 66.59 грн
40+ 62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf-3363922.pdf MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.99 грн
10+ 90.37 грн
100+ 62.53 грн
500+ 58.27 грн
800+ 41.55 грн
2400+ 41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 8506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+121.77 грн
10+ 93.38 грн
50+ 82.17 грн
100+ 66.45 грн
250+ 60.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF5305STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF5305STRLPBF
Код товару: 155127 		irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній