IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 45.89 грн |
| 1600+ | 36 грн |
| 2400+ | 33.89 грн |
| 5600+ | 30.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF530NSTRLPBF за ціною від 26.41 грн до 88.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 665 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 5806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF Код товару: 144837 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товар відсутній |