Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5801TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm.

Інші пропозиції IRF5801TRPBF за ціною від 9.31 грн до 34.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.65 грн
6000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 23530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
610+19.17 грн
613+ 19.06 грн
728+ 16.05 грн
1000+ 14.63 грн
2000+ 13.46 грн
3000+ 12.34 грн
6000+ 11.76 грн
12000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 610
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 6414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.32 грн
500+ 13.39 грн
1500+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.16 грн
22+ 15.89 грн
68+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.79 грн
14+ 19.8 грн
68+ 14.31 грн
186+ 13.53 грн
3000+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : INFINEON irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 6414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.26 грн
50+ 25.32 грн
100+ 20.32 грн
500+ 13.39 грн
1500+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
376+31.05 грн
502+ 23.29 грн
522+ 22.39 грн
629+ 17.91 грн
1000+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 376
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.66 грн
20+ 29.12 грн
25+ 28.83 грн
100+ 20.85 грн
250+ 18.56 грн
500+ 14.78 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 8761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.58 грн
10+ 28.44 грн
100+ 19.78 грн
500+ 14.5 грн
1000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN-3363052.pdf MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
на замовлення 31296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.65 грн
11+ 28.64 грн
100+ 18.31 грн
500+ 14.78 грн
1000+ 11.32 грн
3000+ 9.86 грн
9000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF
Код товару: 29370 		Виробник : IR irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 88/3,9
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній