IRF5802TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5802TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRF5802TRPBF за ціною від 9.64 грн до 63.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF5802TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 0.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 0.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC |
на замовлення 32502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
на замовлення 4456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF5802TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF5802TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 900 мА; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА; TSOP-6 |
на замовлення 724 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF5802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |