IRF60B217 International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 426+ | 46.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF60B217 International Rectifier
Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm.
Інші пропозиції IRF60B217 за ціною від 34.96 грн до 66.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 60V, 60A, 9.0 mOhm 44 nC Qg |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF60B217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 4555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF60B217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 4555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF60B217 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60B217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRF60B217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF60B217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF60B217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
товар відсутній |