IRF60R217 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 29.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF60R217 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF60R217 за ціною від 31.04 грн до 93.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V |
на замовлення 22514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 60V, 58A, 9.9 mOhm 40 nC Qg |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF60R217 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |