на замовлення 6415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.23 грн |
| 10+ | 48.86 грн |
| 100+ | 33.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF610PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF610PBF-BE3 за ціною від 19.13 грн до 67.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 7455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF610PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: IRF610 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF610PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF610PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товар відсутній |