IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
Виробник: SiliconixUds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності 20 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF610PBF (TO-220, Siliconix) за ціною від 14.91 грн до 156 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.1A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 5675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 23817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.1A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay/IR | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF610PBF (TO-220, IR) Код товару: 33443 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
IRF610PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF9610 Код товару: 174702 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 193 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 21 грн |
10+ | 19.8 грн |
100+ | 18.6 грн |
100pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N101J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1741 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 4837 шт
очікується:
16000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
150pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N151J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1728 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 6172 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.5 грн |
1000+ | 0.4 грн |
BFG540/X (ON4832) Код товару: 1690 |
Виробник: Philips
Транзистори > ВЧ
Корпус: SOT-143
Частота: 9 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 15 V
Ucb, V: 20 V
Ic, A: 0,12 A
Транзистори > ВЧ
Корпус: SOT-143
Частота: 9 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 15 V
Ucb, V: 20 V
Ic, A: 0,12 A
у наявності: 9 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10 грн |