IRF6775MTRPBF

IRF6775MTRPBF Infineon Technologies


irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 7720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm.

Інші пропозиції IRF6775MTRPBF за ціною від 58.93 грн до 180.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 8761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.13 грн
500+ 73.02 грн
1000+ 58.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf MOSFET 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 6364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.72 грн
10+ 97.5 грн
100+ 70.77 грн
500+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 8761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.81 грн
10+ 104.1 грн
100+ 86.13 грн
500+ 73.02 грн
1000+ 58.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+163.11 грн
89+ 132.29 грн
100+ 123.33 грн
500+ 105.5 грн
1000+ 91.47 грн
2000+ 85.25 грн
4800+ 82.52 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0 Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 13349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.66 грн
10+ 131.44 грн
100+ 104.63 грн
500+ 83.09 грн
1000+ 70.5 грн
2000+ 66.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+167.62 грн
10+ 152.54 грн
25+ 151.01 грн
100+ 120.95 грн
250+ 109.81 грн
500+ 89.84 грн
1000+ 75.46 грн
3000+ 69.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+180.51 грн
72+ 162.63 грн
100+ 130.25 грн
250+ 118.25 грн
500+ 96.75 грн
1000+ 81.26 грн
3000+ 74.91 грн
Мінімальне замовлення: 65
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6775mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: DirectFET
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6775mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: DirectFET
товар відсутній