Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7104TRPBF
IRF7104TRPBF

IRF7104TRPBF Infineon Technologies

irf7104.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7104TRPBF за ціною від 18.45 грн до 73.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+19.83 грн
8000+ 19.77 грн
12000+ 19.43 грн
24000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.24 грн
8000+ 21.17 грн
12000+ 20.8 грн
24000+ 19.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.37 грн
500+ 29.14 грн
1000+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
246+47.7 грн
304+ 38.57 грн
500+ 32.25 грн
Мінімальне замовлення: 246
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.01 грн
14+ 44.29 грн
100+ 35.81 грн
500+ 28.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.11 грн
10+ 52.09 грн
100+ 36.06 грн
500+ 28.28 грн
1000+ 24.06 грн
2000+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.32 грн
25+ 60.97 грн
100+ 57.49 грн
250+ 52.02 грн
500+ 48.78 грн
1000+ 47.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
179+65.66 грн
183+ 64.2 грн
250+ 62.74 грн
500+ 59.1 грн
1000+ 53.42 грн
Мінімальне замовлення: 179
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.89 грн
10+ 51.67 грн
100+ 34.38 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 20.96 грн
2000+ 19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.42 грн
14+ 56.24 грн
100+ 37.37 грн
500+ 29.14 грн
1000+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+73.91 грн
160+ 73.43 грн
232+ 50.61 грн
244+ 46.26 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 23.65 грн
2000+ 22.23 грн
4000+ 21.23 грн
Мінімальне замовлення: 159
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7104TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace (MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
на замовлення 23116 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7104TRPBF irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7104pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7104pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній