IRF7105TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7105TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7105TRPBF за ціною від 11.78 грн до 48.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7105TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7105TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 9022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A |
на замовлення 13621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon |
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(25; -25)V; Id=(3,5; -2,3)A; Pdmax=2W; Rds=(0,1; 0,25) Ohm |
на замовлення 3886 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7105TRPBF |
IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF7105TRPBF Код товару: 140019 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7105TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7105TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 3.5/-2.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1/0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7105TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 3.5/-2.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1/0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |