IRF7303TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 37.14 грн |
29+ | 20.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7303TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF7303TRPBF за ціною від 23.17 грн до 69.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A |
на замовлення 19260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm |
на замовлення 1486 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7303TRPBF Код товару: 29858 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |