IRF7306TR Infineon


IRF7306.pdf Виробник: Infineon
2xP-MOSFET -3,6A -30V 2W 0.1Ω IRF7306 TIRF7306
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 380 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7306TR Infineon

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7306TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7306TR IRF7306TR Виробник : Infineon Technologies IRF7306.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній