IRF730A


91045.pdf Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
на замовлення 4 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.65 грн
10+ 32.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF730A IR

Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF730A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF730A Виробник : IR 91045.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF730A Виробник : STM 91045.pdf 05+ TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF730A IRF730A Виробник : Vishay 91045.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF730A IRF730A Виробник : Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товар відсутній