IRF7389TR UMW
Виробник: UMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7389; IRF7389TR; SP001574944; SP001554234; IRF7389TR UMW TIRF7389 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 13.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7389TR UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7389TR за ціною від 33.43 грн до 33.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7389TR | Виробник : Infineon |
N/P-MOSFET HEXFET 7.3A, 5.3A 30V 2.5W 0.058Ω IRF7389 TIRF7389 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRF7389TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |