IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності 253 шт:
182 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 22.4 грн |
100+ | 19.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7416TRPBF за ціною від 17.22 грн до 76.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 74885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 8035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC |
на замовлення 26597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET, -30V, -10A, SO-8 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFR9024NTRPBF Код товару: 23070 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 669 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
100+ | 13.4 грн |
L78L05ABUTR Код товару: 24972 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 3143 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.8 грн |
1500uF 16V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR152M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 44207 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 6.3 грн |
100+ | 5.6 грн |
1000+ | 4.9 грн |
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung) Код товару: 72199 |
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 15369 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2 грн |
100+ | 1.9 грн |
1000+ | 1.7 грн |
10000+ | 1.5 грн |
BC817-25 (SOT-23, Nexperia) Код товару: 122720 |
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 400
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 400
Монтаж: SMD
у наявності: 3221 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.2 грн |
100+ | 0.99 грн |
1000+ | 0.78 грн |