IRF7470TRPBF

IRF7470TRPBF Infineon Technologies


irf7470.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7470TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 4 - 72 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.

Інші пропозиції IRF7470TRPBF за ціною від 28.51 грн до 114.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+43.4 грн
8000+ 39.8 грн
12000+ 37.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.44 грн
250+ 66.11 грн
1000+ 49.11 грн
2000+ 42.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+82.32 грн
144+ 81.5 грн
156+ 75.24 грн
250+ 50.73 грн
500+ 46.5 грн
1000+ 40.27 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.09 грн
50+ 78.44 грн
250+ 66.11 грн
1000+ 49.11 грн
2000+ 42.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+104.17 грн
114+ 103.18 грн
122+ 95.83 грн
200+ 87.63 грн
500+ 70.07 грн
1000+ 55.7 грн
2000+ 54 грн
4000+ 51.53 грн
8000+ 50.85 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
на замовлення 28341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.17 грн
10+ 82.62 грн
100+ 64.29 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 41.66 грн
2000+ 39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.18 грн
10+ 76.44 грн
25+ 75.68 грн
100+ 67.37 грн
250+ 43.62 грн
500+ 41.45 грн
1000+ 34.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7470_DataSheet_v01_01_EN-3363099.pdf MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 16140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.21 грн
10+ 86.54 грн
100+ 58.47 грн
500+ 50.34 грн
1000+ 41.29 грн
2000+ 39.36 грн
4000+ 39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7470TRPBF Виробник : IR irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7470TRPBF irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 IRF7470TRPBF Транзисторы
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7470.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7470pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7470pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
товар відсутній