Продукція > IR > IRF7484TRPBF

IRF7484TRPBF


IRF7484PbF.pdf Виробник: IR

на замовлення 328000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7484TRPBF IR

Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7484TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7484TRPBF Виробник : IOR IRF7484PbF.pdf
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7484TRPBF IRF7484TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7484.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7484TRPBF IRF7484TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7484PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7484TRPBF IRF7484TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7484PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 14A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товар відсутній