Продукція > IR > IRF7524D1TR

IRF7524D1TR


irf7524d1.pdf Виробник: IR
MSOP-8
на замовлення 2775 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7524D1TR IR

Description: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: Micro8™, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF7524D1TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7524D1TR IRF7524D1TR Виробник : Infineon Technologies irf7524d1.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товар відсутній