IRF7530TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 18.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7530TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції IRF7530TRPBF за ціною від 19.74 грн до 61.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 10050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7530TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH DUAL, 20V, 5.4A, MICRO-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF Код товару: 31263 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 5,4 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1310/18 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IRF7530TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.3W Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7530TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.4A; 1.3W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Power dissipation: 1.3W Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.4A |
товар відсутній |