IRF7809AVTRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 68.38 грн |
| 500+ | 52.71 грн |
| 1000+ | 35.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7809AVTRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7809AVTRPBF за ціною від 33.65 грн до 115.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7809AVTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7809AVTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7809AVTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF7809AVTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7809AVTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.3A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.3A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7809AVTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7809AVTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.3A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.3A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |