IRF8010STRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 70.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8010STRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF8010STRLPBF за ціною від 57.73 грн до 168.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRF8010STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
IRF8010STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF8010STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 260W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |