IRF8707TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 9.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8707TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm.
Інші пропозиції IRF8707TRPBF за ціною від 9.67 грн до 39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 26225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V |
на замовлення 25911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg |
на замовлення 78395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.1A On-state resistance: 17.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 88A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF8707TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.1A On-state resistance: 17.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 88A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |