IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 33.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF9540NSTRLPBF за ціною від 44.3 грн до 156.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm |
на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm |
на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W; |
на замовлення 736 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | D2PAK |
на замовлення 110 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF Код товару: 188176 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Drain current: -23A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -100V кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Drain current: -23A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -100V |
товар відсутній |