на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 104.8 грн |
| 10+ | 85.07 грн |
| 100+ | 57.07 грн |
| 500+ | 49.14 грн |
| 800+ | 41.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z14STRLPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9Z14STRLPBF за ціною від 71.2 грн до 112.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z14STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF9Z14STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IRF9Z14STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
| IRF9Z14STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W Mounting: SMD On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
IRF9Z14STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
| IRF9Z14STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W Mounting: SMD On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: D2PAK; TO263 Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A |
товар відсутній |