на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB11N50APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB11N50APBF за ціною від 57.72 грн до 163.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 924 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 3584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay/IR |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB |
на замовлення 200 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRFB11N50APBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET PLANAR >= 100V |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF Код товару: 27308 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|