IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782
Виробник: IRUds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності 147 шт:
79 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB3307ZPBF за ціною від 45.76 грн до 172.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB3307ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
IRFB3077PBF Код товару: 104275 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 196 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 85 грн |
10+ | 78 грн |
IRFB7434PBF Код товару: 171783 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
Монтаж: THT
у наявності: 280 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68.5 грн |
10+ | 61.4 грн |
100+ | 54.9 грн |
STP14NK50ZFP Код товару: 2275 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 68 грн |
10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000годинник) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 18649 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 2138 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.3 грн |
1000+ | 5.5 грн |
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13324 шт
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |