IRFB4019PBF Infineon Technologies
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4019PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.
Інші пропозиції IRFB4019PBF за ціною від 38.78 грн до 150.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4019PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4019PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4019PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4019PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRFB4019PBF | Виробник : Infineon |
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® |
на замовлення 97 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRFB4019PBF Код товару: 171727 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|