Продукція > INFINEON > IRFB4227PBFXKMA1
IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON

3733158.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+263.71 грн
10+ 186.76 грн
100+ 150.9 грн
500+ 131.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 86.24 грн до 234.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies SP005738325
на замовлення 28988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
на замовлення 28988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+185.81 грн
10+ 162.43 грн
25+ 155.97 грн
100+ 133.8 грн
250+ 118.5 грн
500+ 108.13 грн
1000+ 95.35 грн
2000+ 91.06 грн
5000+ 87.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
на замовлення 28985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+200.19 грн
67+ 175 грн
70+ 168.04 грн
100+ 144.16 грн
250+ 127.67 грн
500+ 116.5 грн
1000+ 102.73 грн
2000+ 98.11 грн
5000+ 94.45 грн
Мінімальне замовлення: 59
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.11 грн
50+ 164.99 грн
100+ 141.42 грн
500+ 117.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.63 грн
10+ 194.52 грн
25+ 159.82 грн
100+ 137.18 грн
250+ 129.19 грн
500+ 121.87 грн
1000+ 103.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
товар відсутній