IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.48 грн |
| 3+ | 162.32 грн |
| 7+ | 129.02 грн |
| 18+ | 122.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB4310PBF за ціною від 106.12 грн до 283.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRFB4310PBF Код товару: 172846 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFB4310PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 130 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |