IRFB4332PBF Infineon Technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4332PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Інші пропозиції IRFB4332PBF за ціною від 119.31 грн до 369.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4332PbF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PbF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4332PbF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg |
на замовлення 21071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4332PbF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V |
на замовлення 3335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4332PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4332PBF Код товару: 52140 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 250 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 29 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99 Монтаж: THT |
товар відсутній
|