IRFB52N15DPBF Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB52N15DPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.
Інші пропозиції IRFB52N15DPBF за ціною від 66.27 грн до 188.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB52N15DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB52N15DPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
на замовлення 11439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB52N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
на замовлення 13583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB52N15DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB52N15DPBF Код товару: 59925 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|