IRFB7430PBF Infineon Technologies
на замовлення 8129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7430PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB7430PBF за ціною від 84.16 грн до 298.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7430PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB7430PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |