IRFBC40ASPBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.49 грн |
| 10+ | 76.8 грн |
| 12+ | 71.27 грн |
| 32+ | 67.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC40ASPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC40ASPBF за ціною від 72.03 грн до 320.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBC40ASPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |