на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 181+ | 64.44 грн |
| 184+ | 63.42 грн |
| 187+ | 62.41 грн |
| 190+ | 59.21 грн |
| 250+ | 53.92 грн |
| 500+ | 50.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC40ASTRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC40ASTRLPBF за ціною від 47.26 грн до 307.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFBC40ASTRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |