Продукція > SILICONIX > IRFD110

IRFD110 Siliconix

HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD110 TIRFD110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+18 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD110 Siliconix

Description: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD110 за ціною від 38.01 грн до 38.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD110 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 44368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
523+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 523
IRFD110 HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf IRFD110 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFD110 IRFD110 Виробник : Vishay sihfd110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRFD110 IRFD110 Виробник : Vishay Siliconix sihfd110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFD110 IRFD110 Виробник : Vishay / Siliconix HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFD110PBF
товар відсутній
IRFD110 IRFD110 Виробник : onsemi / Fairchild HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf MOSFET
товар відсутній