на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 7.5 грн |
| 160+ | 3.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD113PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD113PBF за ціною від 52.8 грн до 144.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD113PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD113PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD113PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD113PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD113PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFD113PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFD113PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 800mA; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 6.4A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFD113PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 800mA; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 6.4A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |