Продукція > VISHAY > IRFD9020PBF
IRFD9020PBF

IRFD9020PBF Vishay


sihfd902.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1200+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 1200
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9020PBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD9020PBF за ціною від 28.83 грн до 111.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
242+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 242
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.83 грн
10+ 57.3 грн
27+ 30.46 грн
74+ 28.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.79 грн
10+ 68.76 грн
27+ 36.55 грн
74+ 34.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd902.pdf MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H
на замовлення 10441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.25 грн
10+ 79.17 грн
100+ 58.89 грн
250+ 58.35 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 45.26 грн
2500+ 44.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+95.63 грн
132+ 90.22 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.23 грн
10+ 86.41 грн
100+ 67.06 грн
500+ 56.24 грн
1000+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.34 грн
10+ 88.83 грн
100+ 70.71 грн
500+ 56.15 грн
1000+ 47.64 грн
2000+ 45.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Виробник : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній