Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5015TRPBF
IRFH5015TRPBF

IRFH5015TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+47.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5015TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm.

Інші пропозиції IRFH5015TRPBF за ціною від 40.72 грн до 126.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+56.92 грн
8000+ 52.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.36 грн
10+ 63.67 грн
25+ 63.4 грн
100+ 55.64 грн
250+ 50.23 грн
500+ 46.01 грн
1000+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+68.56 грн
176+ 68.28 грн
193+ 62.13 грн
250+ 58.42 грн
500+ 51.62 грн
1000+ 43.86 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+77.88 грн
159+ 75.38 грн
173+ 69.51 грн
200+ 65.1 грн
500+ 60.1 грн
1000+ 54.79 грн
2000+ 53.42 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.71 грн
250+ 72.7 грн
1000+ 54.49 грн
2000+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+111.48 грн
50+ 86.71 грн
250+ 72.7 грн
1000+ 54.49 грн
2000+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5015_DataSheet_v01_01_EN-3363149.pdf MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.55 грн
10+ 98.41 грн
100+ 69.01 грн
500+ 59.77 грн
1000+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+118.37 грн
106+ 113.07 грн
250+ 108.54 грн
500+ 100.88 грн
1000+ 90.36 грн
2500+ 84.18 грн
Мінімальне замовлення: 102
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5015pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561abe001e9c Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.16 грн
10+ 100.93 грн
100+ 80.36 грн
500+ 63.81 грн
1000+ 54.15 грн
2000+ 51.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній