Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH9310TRPBF
IRFH9310TRPBF

IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm.

Інші пропозиції IRFH9310TRPBF за ціною від 34.2 грн до 109.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+34.2 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+49.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.32 грн
15+ 57.03 грн
39+ 54.24 грн
100+ 53.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON 1915661.pdf Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.89 грн
250+ 65.76 грн
1000+ 49.72 грн
2000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+86.89 грн
145+ 80.74 грн
172+ 68.06 грн
200+ 62.06 грн
500+ 57.29 грн
1000+ 49.73 грн
2000+ 46.8 грн
4000+ 45.72 грн
8000+ 45.63 грн
Мінімальне замовлення: 135
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON 1915661.pdf Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.1 грн
50+ 77.89 грн
250+ 65.76 грн
1000+ 49.72 грн
2000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.35 грн
5+ 90.13 грн
15+ 68.43 грн
39+ 65.09 грн
100+ 64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.72 грн
10+ 82.48 грн
100+ 64.14 грн
500+ 51.02 грн
1000+ 41.56 грн
2000+ 39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH9310_DataSheet_v01_01_EN-3363019.pdf MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.04 грн
10+ 88.29 грн
100+ 61.95 грн
500+ 52.54 грн
1000+ 42.79 грн
2000+ 40.32 грн
4000+ 37.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH9310TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній