IRFHM9331TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 12.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM9331TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції IRFHM9331TRPBF за ціною від 14.16 грн до 63.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -9A Drain-source voltage: -30V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -9A Drain-source voltage: -30V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC |
на замовлення 12577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V |
на замовлення 39808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFHM9331TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |