IRFL014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 52318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.37 грн |
| 10+ | 47.37 грн |
| 100+ | 37.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL014TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRFL014TRPBF-BE3 за ціною від 23.43 грн до 71.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |