IRFL014TRPBF Vishay
Код товару: 162075
Виробник: VishayUds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності 2 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFL014TRPBF за ціною від 8.5 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL014TRPBF Код товару: 196249 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/11 Монтаж: SMD |
у наявності: 176 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4427 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp |
на замовлення 10769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014 | Виробник : VISHAY | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL014TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL014 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL014 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL014 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFL014TRPBF |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFZ24NPBF Код товару: 4381 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 1028 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
1000+ | 10.9 грн |
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano) Код товару: 3427 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1396 шт
очікується:
4000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2.3 грн |
100+ | 2 грн |
1000+ | 1.8 грн |
150uF 400V ELP 25x30mm (ELP151M2GBB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2510 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 150 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 25x30mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 150 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 25x30mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 104 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
4,7 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K7R – Hitano) Код товару: 2440 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 13890 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2210 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 10834 шт
очікується:
80000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |