Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFL9110TRPBF-BE3
IRFL9110TRPBF-BE3

IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfl911.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.51 грн
5000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFL9110TRPBF-BE3 за ціною від 21.6 грн до 101.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 8293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.34 грн
10+ 44.79 грн
100+ 34.83 грн
500+ 27.7 грн
1000+ 22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl911.pdf MOSFET 100V P-CH MOSFET (D-S)
на замовлення 61006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.15 грн
10+ 49.07 грн
100+ 33.2 грн
500+ 28.16 грн
1000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY VISHS97181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.41 грн
25+ 64.67 грн
50+ 60.05 грн
100+ 54.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+101.24 грн
121+ 96.71 грн
250+ 92.83 грн
500+ 86.29 грн
1000+ 77.29 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfl911.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.47 грн
10+ 65.77 грн
100+ 61.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY sihfl911.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -8.8A
On-state resistance: 1.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY sihfl911.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -8.8A
On-state resistance: 1.2Ω
товар відсутній