IRFP3206PBF Infineon Technologies
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP3206PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.
Інші пропозиції IRFP3206PBF за ціною від 88.82 грн до 301.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 112800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 10158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3206PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3206PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |