IRFP4368PBF Infineon Technologies
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 389.05 грн |
| 35+ | 340.54 грн |
| 50+ | 302.7 грн |
| 100+ | 274.12 грн |
| 200+ | 239.08 грн |
| 800+ | 228.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4368PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFP4368PBF за ціною від 263.71 грн до 616.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4368PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4368PBF Код товару: 34958 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 350 A Rds(on), Ohm: 0,00146 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 19230/570 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFP4368PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFP4368PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |